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IXTP36N30T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 36A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTP300N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2737
IXTP32N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2628
IXTP32N65X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2764
IXTP32N65XM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2780
IXTP32P05T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50486
IXTP32P20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2707
IXTP340N04T4 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2642
IXTP34N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
IXTP36N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2737
IXTP36N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2705

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