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IXTP1R4N100P
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IXTP1R4N100P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IXTP1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTP100N04T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22980 |
IXTP102N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6300 |
IXTP10N60P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12888 |
IXTP10N60PM | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2576 |
IXTP10P15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4784 |
IXTP10P50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5301 |
IXTP110N055P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 14888 |
IXTP110N055T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 31968 |
IXTP110N055T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 554 |
IXTP110N055T2 MOS | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 527 |
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