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IXTP1N80 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 750mA (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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IXTP1N80 Documentos

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Otros incluyen   "IXTP1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTP1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTP100N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22980
IXTP102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6300
IXTP10N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12888
IXTP10N60PM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
IXTP10P15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4784
IXTP10P50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5301
IXTP110N055P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14888
IXTP110N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31968
IXTP110N055T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 554
IXTP110N055T2 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 527

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