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IXTP18P10T Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 18A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchP™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±15V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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IXTP18P10T Documentos

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Otros incluyen   "IXTP1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTP1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTP100N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22980
IXTP102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6300
IXTP10N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12888
IXTP10N60PM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
IXTP10P15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4784
IXTP10P50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5301
IXTP110N055P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14888
IXTP110N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31968
IXTP110N055T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 554
IXTP110N055T2 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 527

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