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IXTN320N10T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-227B
Power Dissipation (Max) 680W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 320A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Las siguientes partes incluyen  'IXTN3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTN30N100L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2365
IXTN30N50 IXYS Módulos IGBT 2676
IXTN32P60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2589
IXTN35N120AU1 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2807
IXTN36N150 IXYS Módulos IGBT 2527
IXTN36N40 IXYS Módulos IGBT 2743
IXTN36N45 IXYS Módulos IGBT 2893
IXTN36N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1437
IXTN36N50S1 IXYS Módulos IGBT 2704
IXTN36N50SI IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2913

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