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IXTN210P10T Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 105A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 69500pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchP™
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 210A
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Otros incluyen   "IXTN2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTN2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTN200N10L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2672
IXTN200N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2792
IXTN21N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1340
IXTN22N100L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2793
IXTN240N075L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2726
IXTN24N100 IXYS Módulos IGBT 2789
IXTN24N50Q IXYS Módulos IGBT 2743
IXTN27N80 IXYS Módulos IGBT 2939

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