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IXTM12N100
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IXTM12N100 Especificaciones técnicas
POWER MOSFET TO-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | GigaMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-204AA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 6A, 10V |
Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTM12N100
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTM1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTM1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTM10P60 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
IXTM11N80 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2519 |
IXTM11P50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2728 |
IXTM1316 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
IXTM15N60 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
IXTM1630 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2766 |
IXTM1712 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
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