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IXTK21N100
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IXTK21N100 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA |
Supplier Device Package | TO-264 (IXTK) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MegaMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
IXTK21N100 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTK21N100
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTK2" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTK2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTK200N10L2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 705 |
IXTK200N10P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2754 |
IXTK20N140 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 3432 |
IXTK20N150 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1617 |
IXTK20N150 IC | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 1476 |
IXTK210P10T | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2344 |
IXTK21N100L | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2813 |
IXTK22N100 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 5 |
IXTK22N100L | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2533 |
IXTK240N075L2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4222 |
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