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IXTK160N20 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 160A TO-264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-264 (IXTK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MegaMOS™
Power Dissipation (Max) 730W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 415nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
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IXTK160N20 Documentos

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Otros incluyen   "IXTK1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTK1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTK100N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1416
IXTK102N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2978
IXTK102N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2768
IXTK110N20L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509
IXTK110N30 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2556
IXTK120N20P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2842
IXTK120N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2877
IXTK120N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2857
IXTK120N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2596
IXTK120P20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2522

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