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IXTH8P50 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 500V 8A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Otros incluyen   "IXTH8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTH8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTH80N075L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2725
IXTH80N20L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5720
IXTH80N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2582
IXTH80N65X2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTH80N65X2 94N65 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 1429
IXTH82N25 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2964
IXTH86N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTH86N25T IXYS CIs Calientes Especializados 5658
IXTH88N15 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2974
IXTH88N30 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2773

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