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IXTH6N120 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 Ohm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Las siguientes partes incluyen  'IXTH6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTH60N10 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5953
IXTH60N15 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5818
IXTH60N20L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5654
IXTH60N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5789
IXTH60N30T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2656
IXTH62N25 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2835
IXTH62N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2719
IXTH62N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4543
IXTH64N10L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2552
IXTH64N65X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2738

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