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IXTH3N200P3HV
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IXTH3N200P3HV Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 1.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000V (2kV) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTH3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTH3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTH300N04T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 36685 |
IXTH30N25 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5821 |
IXTH30N50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2718 |
IXTH30N50L | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6010 |
IXTH30N50L2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5719 |
IXTH30N50L2 | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTH30N50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2621 |
IXTH30N60L2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5841 |
IXTH30N60L2 | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTH30N60P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
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