IXTH3N100P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarVHV™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTH300N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 36685
IXTH30N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5821
IXTH30N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2718
IXTH30N50L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6010
IXTH30N50L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5719
IXTH30N50L2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTH30N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2621
IXTH30N60L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5841
IXTH30N60L2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTH30N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363

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