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IXTF1N450 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 Ohm @ 50mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Package / Case i4-Pac™-5 (3 leads)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 4500V (4.5kV)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTF1N400 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2517
IXTF1R4N450 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2613

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