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IXTA90N15T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 90A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Power Dissipation (Max) 455W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 45A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA90N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2510
IXTA90N055T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2665
IXTA90N075T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2581
IXTA96P085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2404
IXTA96P085TTRL IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
IXTA98N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2634
IXTA98N075T7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2743

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