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IXTA76P10T Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 76A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchP™
Power Dissipation (Max) 298W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±15V
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXTA7' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA70N075T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2644
IXTA70N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2598
IXTA72N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2786
IXTA74N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2535
IXTA75N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2597
IXTA76N075 IXYS CIs Calientes Especializados 3632
IXTA76N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1724
IXTA76N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2960
IXTA76N25TTRL IXYS CIs Calientes Especializados 54112
IXTA7N80 IXYS CIs Calientes Especializados 2027

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