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IXTA62N15P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 62A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 31A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 350W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA60N10 IXYS CIs Calientes Especializados 2534
IXTA60N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2668
IXTA60N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1345
IXTA62N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2776
IXTA64N10L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2660
IXTA64N10L2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTA6N100D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2693
IXTA6N50D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2562
IXTA6N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2781

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