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IXTA50N25T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 50A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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Otros incluyen   "IXTA5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTA5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA50N20P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4099
IXTA50N28 IXYS CIs Calientes Especializados 3193
IXTA50N28TTRL IXYS CIs Calientes Especializados 2616
IXTA52P10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 348
IXTA54N30T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2580
IXTA56N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558
IXTA5N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4099
IXTA5N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2547

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