IXTA3N50D2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1070pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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IXTA3N50D2 Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA300N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTA300N04T2-7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTA32N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2560
IXTA32P05T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22787
IXTA32P20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32583
IXTA340N04T4 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2685
IXTA340N04T4-7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2732
IXTA34N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2773
IXTA36N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTA36N30 IXYS CIs Calientes Especializados 2766

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