IXTA36P15P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 150V 36A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarP™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA300N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTA300N04T2-7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
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IXTA32P05T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22787
IXTA32P20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32583
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