IXTA220N055T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 220A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMV™
Power Dissipation (Max) 430W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 158nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA200N055 IXYS CIs Calientes Especializados 1482
IXTA200N055T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 634
IXTA200N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTA200N075T7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2704
IXTA200N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2747
IXTA200N085T7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTA20N65X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2679
IXTA220N04 IXYS CIs Calientes Especializados 1480
IXTA220N04T2 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 32392
IXTA220N04T2-7 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363

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