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IXTA1N200P3HV Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 646pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 2000V (2kV)
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IXTA1N200P3HV Documentos

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Otros incluyen   "IXTA1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTA1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA100N04 IXYS CIs Calientes Especializados 2517
IXTA100N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775
IXTA100N04T2 TRL IXYS CIs Calientes Especializados 19200
IXTA102N15 IXYS CIs Calientes Especializados 348
IXTA102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2505
IXTA10N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56462
IXTA10P50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2031
IXTA10P50PTRL IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2480
IXTA110N055P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56462
IXTA110N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761

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