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IXTA180N085T7
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IXTA180N085T7 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-263-7 (IXTA..7) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMV™ |
Power Dissipation (Max) | 430W (Tc) |
Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IXTA1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTA100N04 | IXYS | CIs Calientes Especializados | 2517 |
IXTA100N04T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2775 |
IXTA100N04T2 TRL | IXYS | CIs Calientes Especializados | 19200 |
IXTA102N15 | IXYS | CIs Calientes Especializados | 348 |
IXTA102N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2505 |
IXTA10N60P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 56462 |
IXTA10P50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2031 |
IXTA10P50PTRL | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2480 |
IXTA110N055P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 56462 |
IXTA110N055T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2761 |
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