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IXTA110N055T2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (IXTA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3060pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
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Otros incluyen   "IXTA1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTA1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTA100N04 IXYS CIs Calientes Especializados 2517
IXTA100N04T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775
IXTA100N04T2 TRL IXYS CIs Calientes Especializados 19200
IXTA102N15 IXYS CIs Calientes Especializados 348
IXTA102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2505
IXTA10N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56462
IXTA10P50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2031
IXTA10P50PTRL IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2480
IXTA110N055P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56462
IXTA110N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761

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