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IXST15N120B
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IXST15N120B Especificaciones técnicas
IGBT 1200V 30A 150W TO268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 960V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 1.5mJ (off) |
Power - Max | 150W |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | PT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 15A |
Td (on/off) @ 25°C | 30ns/148ns |
Supplier Device Package | TO-268 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 57nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
IXST15N120B Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXST1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXST1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXST15N120B | IXYS | IGBTs individuales | |
IXST15N120BD1 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2793 |
IXST15N120BD1 | IXYS | IGBTs individuales |
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