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IXSK30N60BD1
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IXSK30N60BD1 Especificaciones técnicas
IGBT 600V 55A 200W TO264
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V |
Switching Energy | 1.5mJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 100nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 55A |
Td (on/off) @ 25°C | 30ns/150ns |
Supplier Device Package | TO-264AA(IXSK) |
Power - Max | 200W |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 110A |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXSK30N60BD1
-
Hojas de datos
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Otros incluyen "IXSK3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXSK3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXSK30N60B | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2816 |
IXSK30N60BD1 | IXYS | IGBTs individuales | |
IXSK30N60C | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2945 |
IXSK30N60CD1 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2968 |
IXSK30N60CD1 | IXYS | IGBTs individuales | |
IXSK35N120 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2707 |
IXSK35N120AU1 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2832 |
IXSK35N120AU1 | IXYS | IGBTs individuales | |
IXSK35N120BD | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 3789 |
IXSK35N120BD1 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2740 |
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