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IXGT45N120 Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 75A 300W TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 45A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 14mJ (off)
Power - Max 300W
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 45A
Td (on/off) @ 25°C 55ns/370ns
Supplier Device Package TO-268
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 170nC
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGT40N120B2D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2632
IXGT40N120B2D1 IXYS IGBTs individuales
IXGT40N60B2 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2594
IXGT40N60B2 IXYS IGBTs individuales
IXGT40N60B2D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2629
IXGT40N60B2D1 IXYS IGBTs individuales
IXGT40N60C2 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2770
IXGT40N60C2 IXYS IGBTs individuales
IXGT40N60C2D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2695
IXGT40N60C2D1 IXYS IGBTs individuales

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