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IXGQ50N60B4D1 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 100A 300W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 36A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 930µJ (on), 1mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 110nC
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 36A
Td (on/off) @ 25°C 37ns/330ns
Supplier Device Package TO-3P
Power - Max 300W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 230A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGQ50N60B4D1 IXYS IGBTs individuales
IXGQ50N60C4D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2755
IXGQ50N60C4D1 IXYS IGBTs individuales

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