IXGQ28N120B Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 50A 250W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 28A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 2mJ (off)
Power - Max 250W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 28A
Td (on/off) @ 25°C 30ns/180ns
Supplier Device Package TO-3P
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 92nC
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGQ200N30PB IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 4919
IXGQ200N30PB IXYS IGBTs individuales
IXGQ20N120B IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2947
IXGQ20N120B IXYS IGBTs individuales
IXGQ20N120B2D IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 5555
IXGQ20N120BD1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2772
IXGQ20N120BD1 IXYS IGBTs individuales
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