IXGP4N100 Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 8A 40W TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition 800V, 4A, 120 Ohm, 15V
Switching Energy 900µJ (off)
Power - Max 40W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 16A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 4A
Td (on/off) @ 25°C 20ns/390ns
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 13.6nC
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGP42N30C3 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2683
IXGP42N30C3 IXYS IGBTs individuales
IXGP44N40TBD1 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 74
IXGP44N43JC IXYS CIs Calientes Especializados 522
IXGP48N60A3 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 640
IXGP48N60A3 IXYS IGBTs individuales
IXGP48N60B3 IXYS IGBTs individuales
IXGP48N60C3 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2625
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