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IXGN50N60BD3 Especificaciones técnicas

IGBT 600V FRD SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package SOT-227B
Power - Max 250W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 200µA
Configuration Single
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A
Series HiPerFAST™
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.1nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGN50N120 CDI CIs Calientes Especializados 2903
IXGN50N120C3H1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 2894
IXGN50N120C3H1 IXYS Módulos IGBT
IXGN50N20C3H1 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2763
IXGN50N60B IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 2735
IXGN50N60B IXYS Módulos IGBT
IXGN50N60BD1 IXYS Módulos IGBT 2984
IXGN50N60BD2 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 2818
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