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IXGM30N60 Especificaciones técnicas
POWER MOSFET TO-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Td (on/off) @ 25°C | 100ns/500ns |
Supplier Device Package | TO-204AE |
Power - Max | 200W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 180nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
Switching Energy | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
Package / Case | TO-204AE |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
IGBT Type | - |
Detailed Description | IGBT 600V 50A 200W Through Hole TO-204AE |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
IXGM30N60 Documentos
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-
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXGM30N60 | IXYS | IGBTs individuales |
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