IXGK50N90B2D1 Especificaciones técnicas

IGBT 900V 75A 400W TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Test Condition 720V, 50A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 4.7mJ (off)
Series HiPerFAST™
Power - Max 400W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 20ns/350ns
Supplier Device Package TO-264 (IXGK)
Reverse Recovery Time (trr) 200ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 135nC
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
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IXGK50N120C3H1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2768
IXGK50N120C3H1 IXYS IGBTs individuales
IXGK50N50B IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2775
IXGK50N50BU1 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2727
IXGK50N60 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2911
IXGK50N60A IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2776
IXGK50N60A2U1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2656
IXGK50N60A2U1 IXYS IGBTs individuales
IXGK50N60AU1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2747
IXGK50N60AU1 IXYS IGBTs individuales

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