IXGA20N100 Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 40A 150W TO263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition 800V, 20A, 47 Ohm, 15V
Switching Energy 3.5mJ (off)
Power - Max 150W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 30ns/350ns
Supplier Device Package TO-263 (IXGA)
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 73nC
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGA20N100 IXYS IGBTs individuales
IXGA20N120 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 20000
IXGA20N120 IXYS IGBTs individuales
IXGA20N120A3 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 380
IXGA20N120A3 IXYS IGBTs individuales
IXGA20N120A3-TRL IXYS IGBTs individuales
IXGA20N120B IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2502
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