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IXGA12N120A3 Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 22A 100W TO263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition -
Switching Energy -
Series GenX3™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 20.4nC
Current - Collector (Ic) (Max) 22A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-263 (IXGA)
Power - Max 100W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGA120N30TC IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2771
IXGA120N30TC IXYS IGBTs individuales
IXGA12N100 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2742
IXGA12N100 IXYS IGBTs individuales
IXGA12N120A2 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2747
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