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IXFV20N80P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4685pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFV20N80PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2669
IXFV22N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 792
IXFV22N50PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2627
IXFV22N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2579
IXFV22N60PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2648
IXFV26N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2666
IXFV26N50PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2638
IXFV26N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2726
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