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IXFV12N90P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3080pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXFV1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFV110N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2523
IXFV110N10PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2640
IXFV12N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2512
IXFV12N120PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
IXFV12N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2557
IXFV12N80PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695
IXFV12N90 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 6
IXFV12N90PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2647
IXFV14N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2519
IXFV14N80PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2647

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