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IXFT6N100Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFT60N20F IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3432
IXFT60N25Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4222
IXFT60N260 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4322
IXFT60N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 443
IXFT60N65X2HV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2610
IXFT66N20Q IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 5555
IXFT68N20 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4543
IXFT69N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4543
IXFT6N100F IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4784
IXFT6N100F IXYS RF Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4784

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