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IXFT50N60X Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 50A TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4660pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 660W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFT50N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2769
IXFT50N30Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
IXFT50N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2609
IXFT50N60P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2769
IXFT50N85XHV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2729
IXFT52N30Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 406
IXFT52N30Q TRL IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
IXFT52N50P2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501
IXFT58N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2553
IXFT58N20Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 551

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