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IXFT18N90P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 900V 18A TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5230pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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IXFT18N90P Documentos

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Otros incluyen   "IXFT1"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFT100N30X3HV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
IXFT10N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32365
IXFT120N15P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 52363
IXFT120N25X3HV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 90
IXFT120N30X3HV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2608
IXFT12N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32365
IXFT12N100F IXYS RF Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXFT12N100F IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXFT12N100Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32429
IXFT12N50F IXYS CIs Calientes Especializados 5865

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