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IXFR58N20
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IXFR58N20 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 29A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Package / Case | ISOPLUS247™ |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFR58N20
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFR5" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFR5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFR50N50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2891 |
IXFR52N30Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2704 |
IXFR55N50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1224 |
IXFR55N50F | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2846 |
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