IXFR58N20 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case ISOPLUS247™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFR50N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2891
IXFR52N30Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2704
IXFR55N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1224
IXFR55N50F IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2846

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