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IXFR44N50Q3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 154 mOhm @ 22A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFR40N50Q2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526
IXFR40N90P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2538
IXFR40N90P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFR44N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2726
IXFR44N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2819
IXFR44N60 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2915
IXFR44N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2820
IXFR48N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2954
IXFR48N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2670
IXFR48N60Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2705

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