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IXFR32N100P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 320W (Tc)
Package / Case ISOPLUS247™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXFR3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFR30N110P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2789
IXFR30N50 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2815
IXFR30N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2809
IXFR30N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
IXFR32N100Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2503
IXFR32N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2660
IXFR32N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2900
IXFR32N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558
IXFR32N80P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFR32N80Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2610

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