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IXFR20N80P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4680pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 166W (Tc)
Package / Case ISOPLUS247™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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IXFR20N80P Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFR200N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2911
IXFR20N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2502
IXFR20N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2715
IXFR20N80Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2670
IXFR21N100Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2722
IXFR21N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2772
IXFR230N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2585
IXFR24N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2778
IXFR24N100Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2730
IXFR24N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2726

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