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IXFP8N50P3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar3™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Otros incluyen   "IXFP8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFP8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFP80N25X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1225
IXFP8N50PM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2590
IXFP8N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
IXFP8N85X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2549
IXFP8N85XM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501

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