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IXFP7N100P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2590pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
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Otros incluyen   "IXFP7"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFP7' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFP72N20X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2514
IXFP72N20X3M IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
IXFP72N30X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2520
IXFP72N30X3M IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2692
IXFP76N15T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 49
IXFP76N15T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2333
IXFP7N60P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2556
IXFP7N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2560
IXFP7N80PM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2550

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