IXFP30N25X3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 500µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 15A, 10V
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 250V 30A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFP30N25X3M IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
IXFP30N60X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2790
IXFP34N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2619
IXFP34N65X2M IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2751
IXFP36N20X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
IXFP36N20X3M IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2661
IXFP36N30P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2520
IXFP38N30X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2764
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