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IXFP180N10T2
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IXFP180N10T2 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
Power Dissipation (Max) | 480W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IXFP1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFP102N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2666 |
IXFP10N60P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 882 |
IXFP10N80P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2707 |
IXFP110N15T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9168 |
IXFP12N50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 20000 |
IXFP12N50PM | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 20000 |
IXFP12N65X2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2660 |
IXFP130N10T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2633 |
IXFP130N10T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2667 |
IXFP130N15X3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2781 |
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