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IXFN90N85X Especificaciones técnicas

850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1200W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 850V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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IXFN90N85X Documentos

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Otros incluyen   "IXFN9"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFN9' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN9024 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2886
IXFN90N30 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2958
IXFN9233 ST CIs Calientes Especializados 2832
IXFN9234 ST CIs Calientes Especializados 2886
IXFN94N50P2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2689

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