IXFN80N60P3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar3™
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN80N10 IXYS Módulos IGBT 2733
IXFN80N10S1 IXYS Módulos IGBT 2767
IXFN80N48 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2936
IXFN80N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
IXFN80N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2702
IXFN80N50Q IXYS Módulos IGBT 2762
IXFN80N50Q2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2708
IXFN80N50Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2531
IXFN80N60BD1 IXYS Módulos IGBT 2851
IXFN80N60P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2835

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